2021/07/27 by Ogiwara, Toshiya, Tanuma, Shigeo
#Auger Depth Profiling Analysis #Sample Cooling Method #SiO2/Si
paper · doi:10.48505/nims.3045
試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオージェピークはSi LVV および O KLL である．その結果，常温における深さ分解能は電子線電流密度に依存し，高いほど低下した．一方，試料冷却法を併用した場合には，深さ分解能の値は 3.8~5.8 nm であり，優れた深さ分解能で測定が可能であった．試料冷却法を併用したAES深さ方向分析は電子線照射によるダメージを抑制できる手法と考えられる．