1997/09/01 by Arno Schindlmayr · 1 citation
Physics and Astronomy · #GaN-based semiconductor devices and materials #Quantum and electron transport phenomena #Semiconductor Quantum Structures and Devices #cond-mat.mtrl-sci #physics.ed-ph
paper · pdf · doi:10.1088/0143-0807/18/5/011
published as Eur. J. Phys. 18, 374 (1997). · 3 pages, RevTeX
openalex publication_date 1997/09/01 · arxiv created 1997/09/25 · arxiv updated 2009/11/30 · openalex created_date 2025/10/10 · openalex updated_date 2026/07/30
We present a simple analytic scheme for calculating the binding energy of excitons in semiconductors that takes full account of the existing anisotropy in the effective mass, as a complement to the qualitative treatment in most textbooks. Results obtained for excitons in gallium nitride form the basis for a discussion of the accuracy of this approach. Zusammenfassung. Wir präsentieren ein einfaches analytisches Verfahren zur Berechnung der Bindungsenergie von Exzitonen in Halbleitern, das die vorhandene Anisotropie in der effektiven Masse vollständig miteinbezieht, in Ergänzung zu der qualitativen Betrachtung in den meisten Lehrbüchern. Ergebnisse für Exzitonen in Galliumnitrid bilden die Grundlage für eine Diskussion der Genauigkeit dieser Methode.